Общие характеристики

Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
2000 МГц
Пропускная способность
16000 Мб/с
Объем
3 модуля по 2 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги

CAS Latency (CL)
8
RAS to CAS Delay (tRCD)
8
Row Precharge Delay (tRP)
8
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
Дополнительно

Радиатор
ест

Было найдено: 09.03.2017