Характеристики Hynix HMT112S6TFR8C-H9:
Ёмкость: 1 ГБайт
Организация - 8-чиповая, 128M*64
Компоненты - 128M*8 (H5TQ1G83TFR)*8

Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - SO-DIMM, 204-контактный (для ноутбуков)

Тактовая частота (ширина шина) - 1333 МГц
Пропускная способность - PC3-10600, PC3-8500 или PC3-6400

Сборка памяти : x8 FBGA чипы DRAM
Напряжение VDD: 1,5+/-0,075 Вольт
Напряжение VDDQ: 1,5+/-0,075 Вольт
Напряжение VDDSPD: от 3.0 до 3.6 Вольт

Соответствие стандарту RoHS.
Поддержка On Die Termination (ODT).

Была вытащена из ноутбука сразу после покупки и заменена на 2 гб, ОЗУ проверена, возможна отправка наложенным платежом.

Было найдено: 09.03.2017