Характеристики и описание;
Сокет LGA 1151, ядро Skylake, ядер - 4, потоков - 4, L3 кэш 6Мб, частота 2.7 ГГц и 3.3 ГГц в режиме Turbo, техпроцесс 14нм, поддержка памяти DDR4/ DDR3L до 64 ГБ, каналов памяти - 2
Общие характеристики:
Socket
LGA1151
Игровой
есть
Ядро
Ядро
Skylake (2015)
Количество ядер
4
Техпроцесс
14 нм
Частотные характеристики:
Тактовая частота
2700 МГц
Максимальная частота с Turbo Boost
3300 МГц
Количестве потоков
4
Системная шина
DMI, QPI
Коэффициент умножения
27
Интегрированное графическое ядро
HD Graphics 530, 950 МГц
Встроенный контроллер памяти
есть, полоса 34.1 ГБ/с
Максимальный объем памяти
64 ГБ
Тип памяти
DDR4-1866/2133, DDR3L-1333/1600
Максимальное количество каналов памяти
2
Кэш
Объем кэша L1
64 КБ
Объем кэша L2
1024 КБ
Объем кэша L3
6144 КБ
Наборы команд
Инструкции
MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSE4, AVX, AVX2
Поддержка AMD64/EM64T
есть
Поддержка NX Bit
есть
Поддержка Virtualization Technology
есть
Дополнительно
Типичное тепловыделение
65 Вт
Максимальная рабочая температура
71 °C
Макс. кол-во каналов PCI Express
16
Было найдено: 08.04.2019
Производитель
Samsung
Тип памяти
DDR4
Объем одного модуля
4 Гб
Модулей в комплекте
1
Суммарный объем, Мбайт
4096
Частота памяти, МГц
2133
Было найдено: 08.04.2019