Оперативная память 2шт. по 2Гб
Краткое суммарное описание Samsung M378B5673EH1-CF8 2ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти:
Samsung M378B5673EH1-CF8, DDR3, 256M x 64, 1 x 2 ГБ, DDR3, 240pin DIMM
Общее описание Samsung M378B5673EH1-CF8 2ГБ DDR3 1066МГц модуль памяти:
Samsung M378B5673EH1-CF8. Оперативная память: 2 ГБ, Тип внутренней памяти: DDR3, Тактовая частота памяти: 1066 МГц. Организация чипов: 256M x 64, Тип интерфейса: 240pin DIMM
Оперативная память Corsair 2шт. по 2 Гб
Общие характеристики
Производитель
Corsair
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Количество модулей памяти
2
Размер одного модуля памяти, Мб
2048
Тактовая частота, МГц 1333
Дополнительные характеристики
Пропускная способность, Гб/с 10666
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Регистровая) память нет
Количество контактов 240
Число чипов на один модуль памяти 4
Напряжение, В 1.5
CAS Latency (CL),
тактов tRCD, тактов 9
tRP, тактовЧто это?
9
tRAS, тактов 24
Количество ранков 4