21 марта в 12:29
Тип памятиDDR3Форм-факторSODIMM 204-контактныйТактовая частота1333 МГцПропускная способность10600 Мб/сОбъем1 модуль 4 ГбCAS Latency (CL)9RAS to CAS Delay (tRCD)9Row Precharge Delay (tRP)9Activate to Precharge Delay (tRAS)24Напряжение питания1.5 В
Абсолютно новая. Вскрывалась один раз - для проверки.
Было найдено: 02.04.2017