2Д522Б 1000шт. Нові діоди високої якості

Было найдено: 01.01.2019

КТ209 К 2000шт.
КТ209К
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ приемников.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами в двух вариантах.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - на корпус наносится буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Г, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - И, КТ209К - К, КТ209Л - Л, КТ209М - М.
Вариант 2 - на боковую поверхность корпуса наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А - темно-красная, КТ209Б - желтая, КТ209В - темно-зеленая, КТ209Г - голубая, КТ209Д - синяя, КТ209Е - белая, КТ209Ж - коричневая, КТ209И - серебристая, КТ209К - оранжевая, КТ209Л - светло-табачная, КТ209М - серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.065 ТУ/02.

Было найдено: 01.01.2019

КТ315 Б 500шт, КТ315 Г 500 шт, КТ315 Д 500шт.

Было найдено: 01.01.2019

249КП1 500шт
249КП1
Оптоэлектронные ключи 249КП1, состоящие из излучающего диода на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для гальванической развязки узлов аппаратуры, между которыми передаются сигналы.
Прибор К249КП1 состоит из двух транзисторных оптопар.
В приборе К249КП2 работоспособность второй оптопары не гарантируется или она отсутствует.
У приборов К249КП1 вывод 1 с ключом; у приборов К249КП2 вывод 1 обозначается точкой; отсчет выводов — против часовой стрелки.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 1 г.

Было найдено: 01.01.2019

2Т831А 35 шт.
2Т831А
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.
Корпус транзистора 2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В, 2Т831Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзисторов не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (ТО-39).
Технические условия: аА0.339.140 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т831А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Было найдено: 01.01.2019