Оперативная память Samsung

Технические характеристики:
Объем памяти 4 ГБ
Тип памяти SODIMM DDR3
Напряжение питания 1.35 В
Частота памяти 1600 МГц
Эффективная пропускная способность 12800 МБ/с
Схема таймингов памяти CL11
Количество планок 1
Назначение Для ноутбуков
Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC)

Было найдено: 09.08.2018