Объем памяти
4 ГБ
Тип памяти
DDR3 SDRAM
Напряжение питания
1.5 В
Радиаторы на планках
Нет
Частота памяти
1600 МГц
Эффективная пропускная способность
12800 Мб/с
Схема таймингов памяти
CL11
Количество планок
1
Назначение
Для настольных ПК
Проверка и коррекция ошибок (ECC)
Нет (non-ECC)
Буферизация
Небуферизованной (Unbuffered)
Было найдено: 02.08.2018
Продаю по причине покупки нового. Стан по фото, защитное стекло треснул, сам телефон идеальный) Торг обязательный)
Было найдено: 25.05.2018