Производитель: Samsung
Объем 4 ГБ
Тип
DDR3 SO-DIMM
Частота: -1600 МГц
PC-индекс :PC3-12800
CAS Latency: -11T
Тайминги: 11-11-11
Напряжение питания : 1.5 В
Технические характеристики
Расположение чипов: двустороннее
Число микросхем : 16
Ёмкость микросхем: 2 Гбит
Тип микросхем : 256Mx8

Память была снята с рабочего ноутбука в связи с его модернизацией, память проверена в Memtest

Было найдено: 01.05.2018

Телефон в хорошем состоянии всё работает, есть пару царапин на задней части корпуса, наклеено дорогое защитное стекло mocolo, памяти 2/16. Покупался в цитрусе, продаю т.к. купили другой.

Было найдено: 18.11.2017