Общие характеристики
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тактовая частота - 1600 МГц
Пропускная способность - 12800 Мб/с
Объем - 4 модуля по 2 Гб
Тайминги
CAS Latency (CL) - 9
RAS to CAS Delay (tRCD) - 9
Row Precharge Delay (tRP) - 9
Activate to Precharge Delay (tRAS) - 24
Радиатор - есть