Общие характеристики

Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
2133 МГц
Пропускная способность
17000 Мб/с
Объем
2 модуля по 2 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги

CAS Latency (CL)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
9
Дополнительно

Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания
1.65 В
Радиатор
есть