Было найдено: 18.11.2016

1 модуль памяти DDR2
объем модуля 512 Мб
форм-фактор SODIMM, 200-контактный
частота 667 МГц
CAS Latency (CL): 5

Память для ноутбука m470t6554cz3-ce6 SAMSUNG 512MB

Две плашки DDR2 1GB SAMSUNG M470T2864DZ3-CE6

Характеристики:
Тип DDR2,
SODIMM,
200-контактная
Объем 1 Гб

Тактовая частота 667 МГц
Пропускная способность 5300 Мб/с
8 чипов
Напряжение питания1.8 В

CL5