Общие характеристики
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Пропускная способность 10600 Мб/с
Объем
1 модуль 4 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 9
RAS to CAS Delay (tRCD) 9
Row Precharge Delay (tRP) 9
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 8,
односторонняя упаковка
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 1