Состояние нового девайса использовалось всего 1 раз.
Тип: Зарядная станция
Производитель: Samsung
Совместимость: Samsung Galaxy S8/S8+
Выходной ток: 1A
Легкое подключение
Встроенный индикатор, определяющий правильное положение заряжаемого устройства
Поддержка быстрой зарядки
Размеры: 117.4 х 28.6 х 117.4 мм
Вес: 227 г
Было найдено: 07.06.2018
Комплект Мать + Проц всё рабочее не гналось не грелось 2-а раза в год меналась термопаста. Коробок нет промокли в сарае и раскисли...
Тип разъема Socket 1150
Чипсет (Северный мост) Intel B85
Формфактор MicroATX
Поддержка памяти 4 x DDR3 DIMM; Количество каналов 2
Слоты 2 x PCI-E 2.x x1
1 x PCI-E 3.0 x16
Поддержка процессоров Intel Core i7 / i5 / i3 / Pentium / Celeron 4-го поколения
Встроенное видео Нет
Частота шины данных 5000 МГц
Контроллер RAID Нет встроенного RAID
Максимальный объем оперативной памяти 32 ГБ
DDR3 1600/1333/1066
Коннектор питания 24 + 4 pin
Встроенное аудио 8-канальный (6+2) HD кодек Realtek ALC 887
Количество разъемов SATA II 2
Количество разъемов SATA III 4
Внешние разъемы 1 x PS/2 клавиатура
1 x PS/2 мышь
1 x DVI
1 x D-Sub
1 x HDMI
1 x LAN (RJ45)
2 x USB 3.0
4 x USB 2.0
3 x Аудио
Видеовыходы будут работать только в том случае, если процессор имеет встроенное графическое ядро.
Физические размеры 23.3 x 19.3 см
Семейство процессора Intel Core i5
Тип разъема Socket 1150
Поколение процессора Intel Haswell (четвертое)
Количество ядер 4
Интегрированная графика Intel HD Graphics 4600
Внутренняя тактовая частота 3200 МГц
Разблокированный множитель Нет
Частота шины данных 5 ГТ/с
Тип упаковки BOX
Количество контактов 1150
Объем кэш памяти 1 уровня 4 x 32 KБ
4 x 32 KБ
Объем кэш памяти 2 уровня 4 x 256 KБ
Объем кэш памяти 3 уровня 6 МБ
Мощность TDP 84 Вт
Наименование ядра Haswell
Технологии обеспечения 64-разрядной работы Extended Memory 64 technology
Энергосберегающие технологии Enhanced SpeedStep technology
Технологии антивирусной защиты Execute disable bit
Тип памяти DDR3 SDRAM
Объем памяти 4 ГБ
Напряжение питания 1.5 В
Радиаторы на планках Есть
Охлаждение Алюминиевый радиатор
Частота памяти 1600 МГц
Эффективная пропускная способность 12.8 Гб/ с
Схема таймингов памяти 9-9-9-24
Количество планок 1
Назначение Для настольных ПК
Буферизация Небуферизированная (Unbuffered)
Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC)
Было найдено: 13.07.2017