2 модуля по 1 Гб
Общие характеристики
Тип памяти
DDR2
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
800 МГц
Пропускная способность
6400 Мб/с
Объем
2 модуля по 1 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
4
RAS to CAS Delay (tRCD)
4
Row Precharge Delay (tRP)
4
Activate to Precharge Delay (tRAS)
12
Дополнительно
Напряжение питания
2 В
Радиатор
есть