Модули тиристорные (МТТ) и комбинированные: тиристорно-диодные (МТД), диодно-тиристорные (МДТ) соответствуют следующим типоисполнениям: МТТ4/3-25, МТД4/3-25, МДТ4/3-25, МТТ5/3-25, МТД5/3-25, МДТ5/3-25, МТТ4/3-40, МТД4/3-40, МДТ4/3-40, МТТ5/3-40, МТД5/3-40, МДТ5/3-40, МТТ4/3-63, МТД4/3-63, МДТ4/3-63, МТТ5/3-63, МТД5/3-63, МДТ5/3-63, МТТ4/3-80, МТД4/3-80, МДТ4/3-80, МТТ5/3-80, МТД5/3-80, МДТ5/3-80, МТТ4/3-100, МТД4/3-100, МДТ4/3-100. Предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока, частотой до 500 Гц. Применяются в бесконтактных коммутационных и регулирующих устройствах.

Представляют собой комбинации тиристоров, диодов следующего исполнения:
МТТ4/3-25 2-16 класса (аналог МТТ-25)
МТТ4/3-40 2-16 класса (аналог МТТ-40)
МТТ4/3-63 2-16 класса (аналог МТТ-63)
МТТ4/3-80-2 (аналог МТТ-80-2)
МТТ4/3-80-4 (аналог МТТ-80-4)
МТТ4/3-80-6 (аналог МТТ-80-6)
МТТ4/3-80-8 (аналог МТТ-80-8)
МТТ4/3-80-10 (аналог МТТ-80-10)
МТТ4/3-80-12 (аналог МТТ-80-12)
МТТ4/3-80-14 (аналог МТТ-80-14)
МТТ4/3-80-16 (аналог МТТ-80-16)
МТТ4/3-80-18 (аналог МТТ-80-18)
МТТ4/3-100-2
МТТ4/3-100-4
МТТ4/3-100-6
МТТ4/3-100-8
МТТ4/3-100-10
МТТ4/3-100-12
МТТ4/3-100-14
МТТ4/3-100-16
МТД4/3-25 2-16 класса (аналог МТД-25)
МТД4/3-40 2-16 класса (аналог МТД-40)
МТД4/3-63 2-16 класса (аналог МТД-63)
МТД4/3-80 2-16 класса (аналог МТВ-80)
МТД4/3-100 2-16 класса
МДТ4/3-25 2-16 класса (аналог МДТ-25)
МДТ4/3-40 2-16 класса (аналог МДТ-40)
МДТ4/3-63 2-16 класса (аналог МДТ-63)
МДТ4/3-80 2-16 класса (аналог МДТ-80)
МДТ4/3-100 2-16 класса
Предлагайте свои остатки тиристорно-диодных сборок, тиристоров,диодов,семисторов и других радиодеталей.

Было найдено: 25.12.2018

Импульсное зажигающее устройство ИЗУ-600 для ламп ДНАТ 600Вт-1000Вт
Импульсно-зажигающее устройство (ИЗУ) Z600M немецкого производителя Vossloh Schwabe (VS) предназначено для включения (запуска) газоразрядных ламп: натриевой (ДНаТ) мощностью от 250вт до 1000вт или кварцевой металлогалогенной лампы (ДРИ) мощностью от 250вт до 1000вт. Является универсальным для этих типов ламп в этом диапазоне мощностей ламп, подходит для ламп разных производителей.

Было найдено: 25.12.2018

Техническая информация: SKKT 106/16E
Производитель: Semikron
Категория: Thyristor/Diode Modules
Напряжение: 1600V
Ток при T=85oC:
106A
Корпус: SEMIPACK®1
Миниальный заказ: 1шт.
Вес: 0.1кг

Было найдено: 24.12.2018

МДД-80-12
Модуль диодный низкочастотный.
Максимально допустимый средний прямой ток - 80А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 600В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.

Было найдено: 21.08.2018

60N100 (G60N100BNTD) - Транзисторы IGBTs технологии с встроенным обратным диодом. Применяются в различной устройствах силовой электроники, в том числе и в сварочных инверторах (номинальный ток транзистора - 42 Ампер при температуре корпуса 100 градусов, напряжение - 1000 Вольт). Транзисторы выпускаются в корпус TO-264.

Производитель: Fairchild Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS: Соответствует RoHS

Подробности

Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 500 nA
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Корпус: TO-264-3
Торговая марка: Fairchild Semiconductor
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 60 A
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Pd ― рассеивание мощности: 180 W
Серия: G60N100BNTD
Вес изделия: 6.756 g

Было найдено: 15.08.2018

G60N100 (G60N100BNTD) - Транзисторы IGBTs технологии с встроенным обратным диодом. Применяются в различной устройствах силовой электроники, в том числе и в сварочных инверторах (номинальный ток транзистора - 42 Ампер при температуре корпуса 100 градусов, напряжение - 1000 Вольт). Транзисторы выпускаются в корпус TO-264.

Производитель: Fairchild Semiconductor
Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RoHS: Соответствует RoHS

Подробности

Конфигурация: Single
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A
Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 500 nA
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Корпус: TO-264-3
Торговая марка: Fairchild Semiconductor
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 60 A
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Pd ― рассеивание мощности: 180 W
Серия: G60N100BNTD
Вес изделия: 6.756 g

Было найдено: 12.06.2018