Память ОЗУ DDR2 2Гб 800 Мгц 6400 So-dimm для ноутбука Crucial Hynix
в 20:49, 8 августа 2018,
https://www.olx.ua/obyavlenie/pamyat-ozu-ddr2-2gb-800-mgts-6400-so-dimm-dlya-noutbuka-crucial-hynix-IDu3p4G.html#b9d22fb768
Product Specifications
Brand Crucial
Form Factor SODIMM
Total Capacity 2GB
Warranty Limited Lifetime
Specs DDR2 PC2-6400 • CL=6 • Unbuffered • NON-ECC • DDR2-800 • 1.8V • 256Meg x 64 •
Series Crucial
ECC NON-ECC
Module Qty 1
Speed 1066 MT/S
Tracer False
Voltage 1.8V
DIMM Type Unbuffered
Было найдено: 26.08.2018
Процессор Intel Core 2 Quad Q8300 2.50GHz/4MB/1333MHz s775 tray
в 20:49, 8 августа 2018,
https://www.olx.ua/obyavlenie/protsessor-intel-core-2-quad-q8300-2-50ghz-4mb-1333mhz-s775-tray-IDxAz0a.html#e3f903d0c7
Семейство процессора Intel Core 2 Quad
Тип разъема Socket 775
Количество ядер 4
Внутренняя тактовая частота 2500 МГц
Частота шины данных 1333 МГц
Количество контактов 775
Объем кэш памяти 1 уровня 64 кБ
Объем кэш памяти 2 уровня 4 МБ
Напряжение питания 0.85 В
Было найдено: 19.08.2018
Память для компьютера ОЗУ DDR3 1333/1600 2 GB Hynix/Kingston Intel опт
в 20:49, 8 августа 2018,
https://www.olx.ua/obyavlenie/pamyat-dlya-kompyutera-ozu-ddr3-1333-1600-2-gb-hynix-kingston-intel-opt-IDvGVqV.html#453e0f6bc3
Память для компьютера в ассортименте
DDR3 2gb
1333 Мгц/10600
1600 Мгц/12800
Есть количество
Было найдено: 19.08.2018
Память ОЗУ для ноутбука DDR1 1gb 400 So-dimm 3200 Corsair/Kingston
в 23:16, 4 июня 2018,
https://www.olx.ua/obyavlenie/pamyat-ozu-dlya-noutbuka-ddr1-1gb-400-so-dimm-3200-corsair-kingston-IDwN9LS.html#5580f7bc01
Оперативная память для старых ноутбуков в ассортимента
DDR1 333 и 400 Mgz
Было найдено: 08.06.2018
SSD Samsung 850 Evo-Series 250GB 2.5" SATA III 3D V-NAND
в 19:49, 27 февраля 2018,
https://www.olx.ua/obyavlenie/ssd-samsung-850-evo-series-250gb-2-5-sata-iii-3d-v-nand-IDygEqY.html#743f46a045
Технические характеристики Samsung 850 Evo-Series 250GB 2.5" SATA III 3D V-NAND (MZ-75E250 OEM)
Объем 250 ГБ
Скорость чтения до 540 МБ/сек
Скорость записи до 520 МБ/сек
Энергопотребление Режим ожидания: 50 мВт
Активность: 2.4 Вт
Формфактор 2.5"
Время наработки на отказ 1.5 млн часов
Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G в течении 0.5 мс
Тип ячеек памяти 3D V-NAND
Интерфейс SATAIII
Тип накопителя Внутренний
Габариты (Ш х Г х В) 100 x 69.85 x 6.8 мм
Вес 66 г
Было найдено: 03.03.2018