Рабочая планка памяти снятая в связи с заменой на 2 гиговую.
Память для ноутбука HYNIX 1GB DDR3
Ёмкость: 1 ГБайт
Организация - 8-чиповая, 128M*64
Компоненты - 128M*8 (H5TQ1G83TFR)*8

Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - SO-DIMM, 204-контактный (для ноутбуков)

Тактовая частота (ширина шина) - 1333 МГц
Пропускная способность - PC3-10600, PC3-8500 или PC3-6400

Тайминги - CAS Latency (CL) - 9-9-9.

Сборка памяти : x8 FBGA чипы DRAM
Напряжение VDD: 1,5+/-0,075 Вольт
Напряжение VDDQ: 1,5+/-0,075 Вольт
Напряжение VDDSPD: от 3.0 до 3.6 Вольт

Соответствие стандарту RoHS.
Поддержка On Die Termination (ODT)

Было найдено: 05.04.2017